p; 扩产以长江存储与武汉新芯为双核心，主攻3D NAND与DRAM两大方向。长江存储三期厂房已进入设备调试阶段，预计2026年底投入量产，2027年达成月产能5万片的阶段性目标。 长江存储三座新厂全面达产后，总产能较现有水平提升超过100%，出货量有望超越SK海力士和美光，剑指全球NAND闪存第三席位，仅次于三星和铠侠。 &n
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